參數(shù)資料
型號(hào)： BSO4822
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Small-Signal-Transistor
中文描述： 的OptiMOS小信號(hào)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： BSO4822
2002-01-28
Page 3
Preliminary data
BSO4822
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=10.2A
15.5
31
-
S
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Gate resistance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C
iss
C
oss
C
rss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
1310
480
100
1640
600
150
pF
-
-
-
-
-
1.3
7.9
38
30
16
-
ns
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
I
D
=12.7A,
R
G
=5.1
12
57
45
24
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Gate charge total
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=15V,
I
D
=12.7A
-
-
-
4.4
9.8
21
5.5
12.2
26.2
nC
V
DD
=15V,
I
D
=12.7A,
V
GS
=0 to 5V
Output charge
Q
oss
V
DS
=15V,
I
D
=12.7A,
V
GS
=0
-
17.5
22
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=15V,
I
D
=12.7A
-
2.9
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
A
=25°C
-
-
1.9
A
Inverse diode direct current,
pulsed
I
SM
-
-
51
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0,
I
F
=1.9A
-
-
-
0.83
29
25
1.2
36
31
V
ns
nC
V
R
=15V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
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