參數(shù)資料
型號(hào)： BSO315C
英文描述： Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： ？SIPMOS?；パa(bǔ)。 30V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)（N / P系列）\u003d 0.11/0.25Ohm。編號(hào)（北）\u003d 3.4A。編號(hào)（規(guī)劃）\u003d - 2.3a作出。當(dāng)?shù)毓蛦T？
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
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代理商： BSO315C
1999-09-22
Page 6
Preliminary data
BSO 315 C
Safe operating area
(N-Ch.)
I
D
= f( V
DS
)
parameter : D= 0 , T
A
= 25 °C
BSO 315 C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
I
D
R
DSon
=
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
tp = 100.0
μs
Safe operating area
(P-Ch.)
I
D
= f( V
DS
)
parameter : D= 0 , T
A
= 25 °C
BSO 315 C
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
V
V
DS
-2
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
A
I
D
R
DSo)
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
tp = 460.0
μs
Transient thermal impedance
(N-Ch.)
Z
thJC
= f(t
p
)
parameter : D = t
p
/T
BSO 315 C
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
s
t
p
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
K/W
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
Transient thermal impedance
(P-Ch.)
Z
thJC
= f(t
p
)
parameter : D = t
p
/T
BSO 315 C
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
s
t
p
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
K/W
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BSP108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO330N02K G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR Transt 20V 6.5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO330N02KG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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BSO350N03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO350N03FUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8
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