| 型號: | BSO303P H |
| 廠商: | Infineon Technologies |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述: | MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8 |
| 標準包裝: | 1 |
| 系列: | OptiMOS™ |
| FET 型: | 2 個 P 溝道(雙) |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7A |
| 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 21 毫歐 @ 8.2A,10V |
| Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2678pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 2W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-DSO-8 |
| 包裝: | 標準包裝 |
| 其它名稱: | BSO303P HDKR |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BSO303SP | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel -30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |