參數(shù)資料
型號(hào)： BSO220N
英文描述： High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
中文描述： ？小信號(hào)MOSFET。 20V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 0.13Ohm。 3.2A。當(dāng)?shù)毓蛦T。雙？
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 366K
代理商： BSO220N
BSO 220N
Data Sheet
8
05.99
Avalanche Energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 3.2 A,
V
DD
= 25 V
R
GS
= 25
20
40
60
80
100
120
C
160
T
j
0
2
4
6
8
10
12
14
16
mJ
20
E
A
Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 2.6 A
BSO220N
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
nC
21
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
C
180
T
j
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
20.5
21.0
21.5
22.0
22.5
23.0
23.5
V
24.5
BSO220N
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO301SN High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
BSO304SN Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSO315C Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MDG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSO220N03MDGXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
BSO220N03MS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MSG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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