參數(shù)資料
型號： BSO220N
英文描述： High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
中文描述： ？小信號MOSFET。 20V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 0.13Ohm。 3.2A。當(dāng)?shù)毓蛦T。雙？
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 366K
代理商： BSO220N
Data Sheet
1
05.99
SIPMOS
Small-Signal-Transistor
Features
Dual N Channel
Enhancement mode
Avalanche rated
Logic Level
d
v
/d
t
rated
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
20
0.13
3.2
V
A
Type
BSO220N
Package
SO 8
Ordering Code
Q67000-S4010
Continuous drain current,
one channel active
T
A
= 25 C
Pulsed drain current,
one channel active
T
A
= 25 C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 3.2 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Avalanche current,periodic limited by
T
jmax
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode d
v
/d
t
I
S
= 3.2 A,
V
DS
= 24 V, d
i
/d
t
= 200 A/μs
Gate source voltage
I
D
3.2
A
12.8
I
Dpulse
mJ
E
AS
15
I
AR
E
AR
d
v
/d
t
3.2
0.2
6
A
mJ
kV/μs
V
W
V
GS
P
tot
±
20
2
Power dissipation,
one channel active
T
A
= 25 C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
C
T
j
T
stg
-55 ... +150
-55 ... +150
55/150/56
Maximum Ratings,
at
T
j = 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
Preliminary Data
BSO 220N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO301SN High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
BSO304SN Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSO315C Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MDG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSO220N03MDGXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
BSO220N03MS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MSG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*