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參數(shù)資料
| 型號： | BSM40-48-A |
| 元件分類： | 電源模塊 |
| 英文描述： | 1-OUTPUT 40 W AC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| 封裝： | MODULE-6 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 396K |
| 代理商： | BSM40-48-A |
40W Single Output Class II Medical Power Supplies
BSM40
WWW.ASTRODYNE.COM
ASTRODYNE USA: 1-800-823-8082
ASTRODYNE PACIFIC: 886-2-26983458
MECHANICAL DIMENSIONS
Tolerance :
±
0.12mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM75GB170DN2 | 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| BSR17 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BSS131-T | 100 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| BSS44 | 5000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| BSW-113-04-S-E | 13 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM50GAL100D | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT MODULE |
| BSM50GAL120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GB100D | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM50GB120D | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM50GB120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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