參數(shù)資料
型號： BSM25GD120DN2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT Power Module
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONOPACK-17
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： BSM25GD120DN2
4
Oct-20-1997
BSM 25 GD 120 DN2
Power dissipation
P
tot
=
(
T
C
)
parameter:
T
j
≤
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
W
220
P
tot
Safe operating area
I
C
=
(
V
CE
)
parameter:
D
= 0
, T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
A
I
C
10
1
10
2
10
3
V
V
CE
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 11.0μs
Collector current
I
C
=
(
T
C
)
parameter:
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
4
8
12
16
20
24
28
32
A
40
I
C
Transient thermal impedance IGBT
Z
th JC
=
(
t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
-3
10
-5
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關PDF資料
PDF描述
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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