參數(shù)資料
型號(hào)： BSM200GB60DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Technicshe Information
中文描述： 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： BSM200GB60DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 200 GB 60 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
7,2
89,1
0,0240
98,0
0,0169
59,9
0,0651
61,6
0,1069
13,8
0,6626
28,2
0,9115
0,0018
102,2
0,0487
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
= +15V, R
G,off
= 1,5
,
T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
100
200
300
400
500
600
700
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth:IGBT
Zth:Diode
7 (8)
BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM200GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM200GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM204A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 50V V(BR)DSS | 200A I(D)
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