參數(shù)資料
型號： BSM200GA120DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Technische Information / Technical Information
中文描述： IGBT
封裝： MODULE-5
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： BSM200GA120DLC
Technische Information / Technical Information
BSM200GA120DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
9,51
28,77
37,49
9,23
0,00002
19,63
0,002
0,004
51,99
0,03
0,048
56,73
0,072
0,500
21,65
0,682
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
= 15V, R
g
= 4,7 Ohm, T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8)
DB_BSM200GA120DLC_V.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM200GB170DLC RP Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 09V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 1W; Pot-Core Transformer - separated windings; High 5.2kVDC Isolation in compact size; Optional Continuous Short Circuit Protected; Pin Compatible with RH & RK Series; Approved for Medical Applications; UL and EN Safety Approvals; Efficiency to 82%
BSM200GB60DLC Technicshe Information
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSM200GA120DN2FS 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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