參數(shù)資料
型號： BSH101
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 643K
代理商： BSH101
2000 Jul 19
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH101
Fig.12 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage as a function of junction
temperature; typical values.
V
GSth
at V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
65
185
0
0.4
MGM199
0.8
15
35
85
135
Tj (
°
C)
k
Fig.13 Temperature coefficient of drain-source
on-resistance as a function of junction
temperature; typical values.
(1) R
DSon
at V
GS
= 10 V; I
D
= 350 mA.
(2) R
DSon
at V
GS
= 4.5 V; I
D
= 170 mA.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
k
65
185
0
0.4
MGM200
0.8
1.2
1.6
15
35
85
135
Tj (
°
C)
(2)
(2)
(1)
(1)
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PDF描述
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