參數(shù)資料
型號(hào)： BS870
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： BS870
D
S
11302 Rev. G-2
2 of 2
BS870
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
I
D
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
DS
V
= 10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0/1.0V
GS
5.5V
5.0V
0
1
2
3
4
5
0
0.2
R
,
D
D
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs Drain Current
V
= 5.0V
GS
T = 25 C
V
= 10V
GS
6
7
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
-55
-30
-5
20
45
70
95
120
145
R
,
D
D
T, JUNCTION TEMPERATURE ( C)
Fig. 3 On-Resistance vs Junction Temperature
V
= 10V, I
GS
D
= 0.5A
V
= 5.0V, I
GS
D
= 0.05A
0
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
GS
I = 50mA
I = 500mA
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
R
,
D
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BS870 DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管)
BS980-GS18 RF PIN Diode
BSM100GD120DLC IGBT-Module
BSM100GP60 Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
BSM150GB120DLC Technische Information / Technical Information
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BS870/E9 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23
BS870\E9 功能描述:MOSFET USE 781-2N7002K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BS870_ 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BS870_08 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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