參數(shù)資料
型號: BS807
廠商: Diodes Inc.
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
中文描述: N溝道增強(qiáng)型DMOS晶體管
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 63K
代理商: BS807
D
S
11301 Rev. D-3
3 of 3
BS807
0
100
200
300
400
500
0
20
40
60
80
100
I
,
D
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2, Output Characteristics
DS
T = 25 C
V
= 4V
GS
3.5
3
2.5
2
See Note 2
0
100
200
300
400
500
0
2
4
6
8
10
I
,
D
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3, Saturation Characteristics
DS
T = 25 C
V
= 4V
GS
3.5
3
2.5
2
See Note 2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
I
D
V
, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4, Drain Current vs Gate-Source Voltage
GS
V
= 25V
DS
T = 25 C
See Note 2
0
100
200
300
400
500
0
1
2
3
4
5
g
f
V
, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5, Transconductance vs Gate-Source Voltage
GS
V
= 25V
DS
See Note 2
0
100
200
300
400
500
0
100
200
P
d
T
, SUBSTRATE TEMPERATURE ( C)
Fig. 1, Power Derating Curve
SB
See Note 1
0
100
200
300
400
500
0
100
200
g
f
I , DRAIN CURRENT (mA)
Fig. 6, Transconductance vs Drain Current
V
= 25V
DS
See Note 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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