參數(shù)資料
型號： BS807
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型DMOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： BS807
D
S
11301 Rev. D-3
2 of 3
BS807
Electrical Characteristics
Characteristic
Symbol
V
(BR)DSS
I
GSS
I
DSS
I
DSX
V
GS(th)
r
DS(ON)
R
JSB
R
JA
C
iss
C
oss
C
rss
Min
200
—
Typ
230
—
Max
—
10
30
1.0
3.0
28
320
400
Unit
V
nA
nA
μA
V
Test Condition
I
D
= 100μA, V
GS
= 0
V
GS
= 15V, V
DS
= 0
V
DS
= 130V, V
GS
=0
V
DS
= 70V, V
GS
= 0.2V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0mA
V
GS
= 2.8V, I
D
= 20 mA
Note 1
Note 1
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate-Body Leakage Current
Drain-Source Cutoff Current
—
—
Gate-Source Threshold Voltage
Drain-Source ON Resistance
Thermal Resistance, Junction to Substrate Backside
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Input Capacitance
Output Capacitance
Feedback Capacitance
—
—
—
—
1.8
18
—
—
K/W
K/W
—
58
8.0
1.5
—
pF
V
DS
= 20V,V
GS
= 0,f = 1.0 MHz
Notes:
1. Device mounted on ceramic substrate 0.7mm x 2.5cm
2
area.
2. Pulse test: Pulse width = 80μs, duty cycle = 1%.
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BS817 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
BS828 DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管)
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參數(shù)描述
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