參數(shù)資料
型號： BS108
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管)
中文描述： DMOS晶體管（N溝道）（不適用通道的DMOS晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： BS108
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
BS108
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Drain-Source Breakdown Voltage
at I
D
= 100
μ
A, V
GS
= 0
V
(BR)DSS
240
250
–
V
Gate-Body Leakage Current
at V
GS
= 15 V, V
DS
= 0
I
GSS
–
–
10
nA
Drain Cutoff Current
at V
DS
= 130 V, V
GS
= 0
at V
DS
= 70 V, V
GS
= 0.2 V
I
DSS
I
DSX
–
–
–
–
1
25
μ
A
μ
A
Gate-Source Threshold Voltage
at V
GS
= V
DS
, I
D
= 1 mA
V
GS(th)
0.8
1.5
2.5
V
Drain-Source ON Resistance
at V
GS
= 2.8 V, I
D
= 100 mA
R
DS(ON)
–
5.5
8
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
thJA
–
–
150
1)
K/W
Capacitance
at V
DS
= 20 V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
Input Capacitance
Output Capacitance
Feedback Capacitance
C
iSS
C
OSS
C
rSS
–
–
–
80
20
5
–
–
–
pF
pF
pF
Switching Times
at V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V, R
D
= 100
Turn-On Time
Turn-Off Time
t
on
t
off
–
–
5
50
–
–
ns
ns
1)
Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
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PDF描述
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