| 型號: | BS107PT |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 120MA I(D) | TO-92 |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五(巴西)直| 120mA的一(d)|到92 |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商: | BS107PT |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS107PM1 | Fast Recovery Glass Passivated Rectifier Diodes |
| BS107 | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
| BS107AMO | Fast Recovery Glass Passivated Rectifier Diodes |
| BS107 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BS107 | N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BS107PTSTOA | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS107PTSTOB | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS107PTSTZ | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS107RL1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts |
| BS107RLRA | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R |