參數(shù)資料
型號(hào)： BS107PM1
英文描述： Fast Recovery Glass Passivated Rectifier Diodes
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 120mA的一（d）|蘇
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： BS107PM1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BS107 N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
BS107AMO Fast Recovery Glass Passivated Rectifier Diodes
BS107 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BS107 N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs
BS107 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BS107PSTOA 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BS107PSTOB 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BS107PSTZ 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BS107PT 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BS107PTSTOA 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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