型號: | BS107 |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR |
中文描述: | 120 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 45K |
代理商: | BS107 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MPSD05 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
MPSH05 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
PN2925 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
MPSH10 | NPN 1 GHz general purpose switching transistor |
MPSH10 | VHF/UHF Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BS107/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts |
BS107_04 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts |
BS107_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts |
BS10724K1105 | 制造商:MISC. COMMERCIAL HRD 功能描述: |
BS107A | 功能描述:MOSFET 200V 250mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |