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參數(shù)資料
| 型號： | BR24L02FVM-W |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | 256x8 bit electrically erasable PROM |
| 中文描述： | 256x8位電可擦除可編程ROM |
| 文件頁數(shù)： | 2/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 391K |
| 代理商： | BR24L02FVM-W |
BR24L02-W / BR24L02F-W / BR24L02FJ-W /
Memory ICs
BR24L02FV-W / BR24L02FVM-W
2/25
z
Recommended operating conditions
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Supply voltage
V
Input voltage
V
IN
V
V
CC
0 to V
CC
1.8 to 5.5
z
DC operating characteristics
(Unless otherwise specified Ta=
40 to 85
°
C, VCC=1.8 to 5.5V)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
V
IH1
V
V
IL1
0.3V
CC
V
V
OL2
0.2
V
Input leakage current
I
LI
1
μ
A
μ
A
V
IN
=
0V to V
CC
V
OUT
=
0V to V
CC
Output leakage current
I
LO
1
1
1
Operating current
I
CC2
0.5
mA
Standby current
I
SB
I
CC1
2.0
mA
2.0
μ
A
0.7V
CC
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
2.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
I
OL
=
0.7mA, 1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V, (SDA)
V
=
5.5V, f
=
400kHz
Random Read, Current Read,
Sequential Read
V
CC
=
5.5V, SDA·SCL
=
V
CC
,
A0, A1, A2=GND, WP=GND
"HIGH" input volatge 1
"LOW" input volatge 1
V
IH2
V
V
IL2
0.2V
CC
V
0.8V
CC
1.8V
≤
V
CC
≤
2.5V
"HIGH" input volatge 2
"LOW" input volatge 2
V
OL1
0.4
V
I
OL
=
3.0mA, 2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V, (SDA)
"LOW" output volatge 2
"LOW" output volatge 1
V
CC
=
5.5V, f
SCL
=
400kHz, t
WR
=5ms,
Byte Write, Page Write
This product is not designed for protection against radioactive rays.
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