參數(shù)資料
型號: BPX82
廠商: SIEMENS A G
元件分類: 光敏三極管
英文描述: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays
中文描述: PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 203K
代理商: BPX82
Semiconductor Group
4
BPX 80
BPX 82 ... 89
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures
Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die
Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht mglich.
For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite
group.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Werte
Value
Einheit
Unit
-A
-B
-C
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter
saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
I
PCE
I
PCE
0.32 ... 0.63
1.7
0.40 ... 0.80
2.2
0.5
2.7
mA
mA
t
r
,
t
f
5.5
6
8
μ
s
V
CEsat
150
150
150
mV
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PDF描述
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