參數(shù)資料
型號(hào): BPX82
廠商: SIEMENS A G
元件分類: 光敏三極管
英文描述: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays
中文描述: PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 203K
代理商: BPX82
Semiconductor Group
3
BPX 80
BPX 82 ... 89
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
μ
s
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
I
CS
200
mA
P
tot
90
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
750
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
λ
440 ... 1070
nm
A
0.17
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
×
B
L
×
W
H
0.6
×
0.6
mm
×
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
1.3 ... 1.9
mm
Halbwinkel
Half angle
±
18
Grad
deg.
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
C
CE
6
pF
I
CEO
25 (
200)
nA
Grenzwerte
Maximum Ratings
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
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