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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BPW85B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | 硅npn型光電晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | BPW85B |
BPW85
Vishay Telefunken
4 (6)
Rev. 3, 16-Nov-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81531
0
2
4
6
12
0
2
8
14
94 8293
t
o
I
C
– Collector Current ( mA )
o
6
4
10
8
V
CE
=5V
R
L
=100
=950nm
t
off
t
on
Figure 9. Turn On/Turn Off Time vs. Collector Current
400
600
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
S
r
– Wavelength ( nm )
94 8348
800
Figure 10. Relative Spectral Sensitivity vs.
Wavelength
0.4
0.2
0
0.2
0.4
S
r
0.6
94 8295
0.6
0.9
0.8
0
°
30
°
10
°
20
°
40
°
50
°
60
°
70
°
80
°
0.7
1.0
Figure 11. Relative Radiant Sensitivity vs.
Angular Displacement
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPW85C | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW96 | Silicon NPN Phototransistor(用于檢測(cè)的高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
| BPW96 | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW96A | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW96B | Silicon NPN Phototransistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPW85B | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTOTRANSISTOR T1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
| BPW85C | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPW85C | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTOTRANSISTOR T1 |
| BPW96 | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 150mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPW96A | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 150mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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