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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BPW85B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | 硅npn型光電晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | BPW85B |
BPW85
Vishay Telefunken
3 (6)
Rev. 3, 16-Nov-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81531
94 8239
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2.0
I
c
20
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
40
60
80
100
1.6
1.8
V
CE
=5V
E
e
=1mW/cm
2
=950nm
Figure 3. Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
I
c
E
e
– Irradiance ( mW/cm
2
)
10
94 8271
BPW85C
BPW85B
V
CE
=5V
=950nm
BPW85A
Figure 4. Collector Light Current vs. Irradiance
0.5mW/cm
2
0.2mW/cm
2
0.1mW/cm
2
0.05mW/cm
2
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
c
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8275
BPW 85 A
=950nm
E
e
=1mW/cm
2
Figure 5. Collector Light Current vs.
Collector Emitter Voltage
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
c
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8276
0.5mW/cm
2
0.2mW/cm
2
0.1mW/cm
2
0.05mW/cm
2
=950nm
BPW 85 B
E
e
=1mW/cm
2
Figure 6. Collector Light Current vs.
Collector Emitter Voltage
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
c
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8277
E
e
=1mW/cm
2
0.5mW/cm
2
0.2mW/cm
2
0.1mW/cm
2
0.05mW/cm
2
BPW 85 C
=950nm
Figure 7. Collector Light Current vs.
Collector Emitter Voltage
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8294
C
C
f=1MHz
Figure 8. Collector Emitter Capacitance vs.
Collector Emitter Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPW85C | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW96 | Silicon NPN Phototransistor(用于檢測(cè)的高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
| BPW96 | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW96A | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW96B | Silicon NPN Phototransistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPW85B | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTOTRANSISTOR T1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
| BPW85C | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPW85C | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTOTRANSISTOR T1 |
| BPW96 | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 150mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPW96A | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 150mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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