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參數(shù)資料
| 型號： | BPW83 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | Photodiode PIN Chip 950nm 2-Pin Side View |
| 中文描述： | Photodiodes 60V 215mW 950nm |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BPW83 |
www.vishay.com
412
For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com
Document Number: 81530
Rev. 1.4, 08-Sep-08
BPW83
Vishay Semiconductors
Silicon PIN Photodiode, RoHS Compliant
Fig. 3 - Reverse Light Current vs. Irradiance
Fig. 4 - Reverse Light Current vs. Reverse Voltage
Fig. 5 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 6 - Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
Fig. 7 - Relative Radiant Sensitivity vs. Angular Displacement
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
I
v
e
u
r
μ
A
r
E
e
- Irradiance (m
W
/cm2)
10
94
8
414
V
= 5
V
= 950 nm
λ
0.1
1
10
1
10
100
V
R
- Re
v
erse
V
oltage (
V
)
100
94
8
415
I
r
-
v
e
u
r
μ
A
1 m
W
/cm
2
0.5 m
W
/cm
2
0.2 m
W
/cm
2
0.1 m
W
/cm
2
0.05 m
W
/cm
2
0.02 m
W
/cm
2
= 950 nm
λ
0
20
40
60
8
0
94
8
407
E = 0
f = 1 MHz
C
D
V
R
- Re
v
erse
V
oltage (
V
)
0.1
100
1
10
94
8
426
S
λ
)
r
v
e
v
i
0.0
0.2
0.4
0.6
0.
8
1.0
1.2
750
8
50
950
1050
1150
λ
-
W
a
v
elength (nm)
0.4
0.2
0
S
r
v
e
v
i
94
8
406
0.6
0.9
0.
8
0°
30°
10°
20°
40°
50°
60°
70°
8
0°
0.7
1.0
u
l
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPW85 | Silicon NPN Phototransistor(用于檢測的高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
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| BPW85B | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW85C | Silicon NPN Phototransistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPW83 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:PHOTO TRANSISTOR |
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| BPW-830V | 制造商:BOSER 制造商全稱:BOSER 功能描述:300W DC-DC ATX power supply Input Range: -40~-72VDC |
| BPW-830V-P4 | 制造商:BOSER 制造商全稱:BOSER 功能描述:300W DC-DC ATX power supply Input Range: -40~-72VDC |
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