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參數(shù)資料
| 型號： | BPW77N |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor(高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型光電晶體管（高靈敏度npn型外延平面型光晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | BPW77N |
BPW77N
Vishay Telefunken
2 (6)
Rev. 2, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81527
Basic Characteristics
T
amb
= 25 C
Parameter
Collector Emitter Breakdown
Voltage
Collector Dark Current
Collector Emitter Capacitance
Angle of Half Sensitivity
Wavelength of Peak Sensitivity
Range of Spectral Bandwidth
Collector Emitter Saturation
Voltage
Turn–On Time
Test Conditions
I
C
= 1 mA
Symbol
V
(BR)CE
O
I
CEO
C
CEO
Min
70
Typ
Max
Unit
V
V
CE
= 20 V, E = 0
V
CE
= 5 V, f = 1 MHz, E = 0
1
6
100
nA
pF
deg
nm
nm
V
±
10
850
p
0.5
620...980
0.15
E
e
= 1 mW/cm
2
,
= 950 nm, I
C
= 1 mA
V
S
= 5 V, I
C
= 5 mA,
R
L
= 100
V
S
= 5 V, I
C
= 5 mA,
R
L
= 100
V
S
= 5 V, I
C
= 5 mA,
R
L
= 100
V
CEsat
0.3
t
on
6
s
Turn–Off Time
t
off
5
s
Cut–Off Frequency
f
c
110
kHz
Type Dedicated Characteristics
T
amb
= 25 C
Parameter
Collector Light Current E
=1mW/cm
2
,
Test Conditions
Type
Symbol
I
ca
I
ca
Min
7.5
10
Typ
10
20
Max
15
Unit
mA
mA
BPW77NA
BPW77NB
e
=950nm, V
CE
=5V
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
25
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
50
75
100
0
200
400
800
150
94 8342
600
125
P
t
R
thJC
R
thJA
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
94 8343
20
I
C
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
6
10
5
150
50
100
V
CE
=20V
E=0
Figure 2. Collector Dark Current vs. Ambient Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPW78B | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW78 | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW78A | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW78 | Silicon NPN Phototransistor(高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
| BPW82 | Silicon PIN Photodiode(反向電壓60V，光檢測器應(yīng)用的PIN光二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPW77NA | 功能描述:光電晶體管 10 Degree 250mW RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPW77NA | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
| BPW77NA_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Phototransistor |
| BPW77NB | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 850nm +/-10 Deg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPW78 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Phototransistor |
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