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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BPV10NF |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | High Speed Silicon PIN Photodiode(反向電壓60V的高速PIN光二極管) |
| 中文描述： | 高速硅PIN光電二極管（反向電壓60V的的高速密碼光二極管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | BPV10NF |
BPV10NF
Vishay Telefunken
3 (5)
Rev. 2, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81503
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
I
r
E
e
– Irradiance ( mW/cm
2
)
10
94 8622
V
R
=5V
=870nm
Figure 3. Reverse Light Current vs. Irradiance
0.1
1
10
1
10
100
V
R
– Reverse Voltage ( V )
100
94 8623
I
r
1 mW/cm
2
0.5 mW/cm
2
0.2 mW/cm
2
0.1 mW/cm
2
0.05 mW/cm
2
0.02 mW/cm
2
=870nm
Figure 4. Reverse Light Current vs. Reverse Voltage
0
2
4
6
8
12
10
0.1
1
10
C
D
V
R
– Reverse Voltage ( V )
100
94 8439
E=0
f=1MHz
Figure 5. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
750
850
950
1050
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
S
r
– Wavelength ( nm )
1150
94 8426
1.0
Figure 6. Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
0.4
0.2
0
0.2
0.4
S
r
0.6
94 8624
0.6
0.9
0.8
0
°
30
°
10
°
20
°
40
°
50
°
60
°
70
°
80
°
0.7
1.0
Figure 7. Relative Radiant Sensitivity vs.
Angular Displacement
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPV10NF | High Speed Silicon PIN Photodiode |
| BPV10NF | Photodiode PIN Chip 940nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin T-1 3/4 |
| BPV10 | Silicon PIN Photodiode(反向電壓60V，寬帶檢測(cè)器應(yīng)用的PIN光二極管) |
| BPV10 | Photo Diode, PIN PHOTO DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| BPV11F | Silicon NPN Phototransistor(檢測(cè)應(yīng)用的高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPV10NF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Photo Diode |
| BPV11 | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 80V 150mW 450-1080nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPV11 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTOTRANSISTOR T1.3/4 |
| BPV11_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant |
| BPV11F | 功能描述:光電晶體管 15 Degree 150mW RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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