參數(shù)資料
型號： BLW90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BLW90
August 1986
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW90
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
Collector-emitter voltage
(peak value); V
BE
= 0
open base
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current
d.c. or average
(peak value); f
>
1 MHz
Total power dissipation (d.c. and r.f.) up to T
mb
= 25
°
C
Storage temperature
Operating junction temperature
V
CESM
V
CEO
V
EBO
max.
max.
max.
60 V
30 V
4 V
I
C
; I
C(AV)
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
65 to
+
150
°
C
max.
0,62 A
2,0 A
18,6 W
200
°
C
Fig.2 D.C. SOAR.
handbook, halfpage
1
10
10
2
MGP660
10
1
Th = 70
°
C
Tmb = 25
°
C
VCE (V)
IC
(A)
Fig.3 Power derating curves vs. temperature.
I Continuous d.c. and r.f. operation
II Short-time operation during mismatch
handbook, halfpage
0
100
10
0
20
MGP661
50
Ptot
(W)
Th (
°
C)
ΙΙ
Ι
THERMAL RESISTANCE
(dissipation = 6 W; T
mb
= 73,6
°
C, i.e. T
h
= 70
°
C)
From junction to mounting base
(d.c. and r.f. dissipation)
From mounting base to heatsink
R
th j-mb
R
th mb-h
=
=
9,0 K/W
0,6 K/W
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