參數(shù)資料
型號(hào)： BLW85
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HF/VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-123A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大?。?/td> 109K
代理商： BLW85
March 1993
12
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW85
Fig.16
handbook, halfpage
0
20
40
d3, d5
(dB)
60
40
MGP624
P.E.P. (W)
output power *
d5
d3
V
CE
= 12,5 V; f
= 28,000 Mhz; f
= 28,001 MHz; T
h
= 25
°
C;
R
th mb-h
≤
0,3
°
K/W; I
C(ZS)
= 25 mA; typical values.
Fig.17
handbook, halfpage
0
20
40
η
dt
(%)
0
20
MGP625
P.E.P. (W)
typ
output power
V
CE
= 12,5 V; f
= 28,000 Mhz; f
= 28,001 MHz; T
h
= 25
°
C;
R
th mb-h
≤
0,3
°
K/W; I
C(ZS)
= 25 mA; typical values.
Fig.18
handbook, halfpage
0
20
40
d3, d5
(dB)
60
40
MGP626
P.E.P. (W)
output power *
d3
d5
V
CE
= 13,5 V; f
= 28,000 MHz; f
= 28,001 MHz; T
h
= 25
°
C;
R
th mb-h
≤
0,3 K/W ; I
C(ZS)
= 25 mA; typical values.
*
the according level of either of the equal amplified tones.
Relative to the according peak envelope powers these figures
should be increased by 6 dB.
Stated intermodulation distortion figures are referred to
Fig.19
handbook, halfpage
0
20
40
η
dt
(%)
0
20
MGP627
P.E.P. (W)
typ
output power
V
CE
= 13,5 V; f
= 28,000 MHz; f
= 28,001 MHz; T
h
= 25
°
C;
R
th mb-h
≤
0,3 K/W ; I
C(ZS)
= 25 mA; typical values.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLW89 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF
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BLW90 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
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