參數(shù)資料
型號： BLV92
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 63K
代理商： BLV92
March 1993
9
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV92
RUGGEDNESS
The device is capable of withstanding a full load mismatch
(VSWR = 50; all phases) at rated load power up to a supply
voltage of 15,5 V and at T
h
= 25
°
C.
Fig.13 Input impedance (series components).
V
CE
= 12,5 V; P
= 4 W; f = 800
960 MHz;
T
h
= 25
°
C; class-B operation; typical values.
handbook, halfpage
Zi
(
)
800
840
1000
6
2
0
4
880
920
960
MDA419
f (MHz)
xi
ri
Fig.14 Load impedance (series components).
V
CE
= 12,5 V; P
= 4 W; f = 800
960 MHz;
T
h
= 25
°
C; class-B operation; typical values.
handbook, halfpage
ZL
(
)
800
840
1000
9
3
0
6
880
920
960
MDA420
f (MHz)
XL
RL
Fig.15 Power gain vs. frequency.
V
CE
= 12,5 V; P
= 4 W; f = 800
960 MHz;
T
h
= 25
°
C; class-B operation; typical values.
handbook, halfpage
(dB)
800
850
900
f (MHz)1000
0
8
950
6
4
2
MDA421
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