- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369472 > BLS3135-65 (NXP SEMICONDUCTORS) Microwave power transistor(微波功率晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BLS3135-65 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | BLS3135-65 |
1999 Aug 16
6
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-65
handbook, full pagewidth
MCD757
30
30
40
output
input
Fig.9
Component layout for 3.1 to 3.5 GHz class-C test circuit.
Dimensions in mm.
The components are located on one side of the copper-clad printed circuit board, the other side is unetched and serves as a ground plane.
Earth connections from the component side to the ground plane are made by through metallization.
The striplines are on double-clad printed-circuit board with Duroid dielectric (
ε
r
= 2.2); thickness = 0.38 mm.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLT11 | NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR |
| BLT13 | UHF power transistor |
| BLT52 | UHF power transistor |
| BLU12 | UHF power transistor |
| BLU30 | UHF power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLS3135-65 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-65,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS38-1 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:BLS38-1 |
| BLS3TA10S | 制造商:AVIBANK 功能描述: |
| BLS4 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses- Special Midget |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。