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參數(shù)資料
| 型號： | BLS3135-65 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | BLS3135-65 |
1999 Aug 16
5
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-65
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
Fig.5
Power gain as a function of frequency;
typical values.
handbook, halfpage
(dB)
3.1
3.2
f (GHz)
3.3
3.5
0
8
3.4
6
4
2
MCD753
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
Fig.6
Return losses input as a function of
frequency; typical values.
handbook, halfpage
3.1
Return
Losses
(dB)
3.2
3.3
3.5
0
10
20
3.4
f (GHz)
MCD754
Fig.7
Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 65 W.
handbook, halfpage
(
)
3.1
3.2
f (GHz)
xi
ri
3.3
3.5
0
20
3.4
15
10
5
MCD755
Fig.8
Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 65 W.
handbook, halfpage
ZL
(
)
3.1
3.2
3.3
3.5
4
4
8
0
3.4
XL
RL
MCD756
f (MHz)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLT11 | NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR |
| BLT13 | UHF power transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLS3135-65 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-65,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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