參數(shù)資料
型號(hào)： BLS3135-20
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-422A, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 66K
代理商： BLS3135-20
2000 Feb 01
5
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-20
handbook, halfpage
(
)
10
3
3.2
3.4
ri
xi
3.6
f (GHz)
10
5
0
5
MCD867
Fig.6
Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 20 W.
handbook, halfpage
(
)
10
3
3.2
3.4
RL
XL
3.6
f (GHz)
10
5
0
5
MCD868
Fig.7
Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 20 W.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BLS3135-65 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
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BLT52 UHF power transistor
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參數(shù)描述
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BLS3135-20,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-50 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
BLS3135-50,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-65 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
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