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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLS3135-20 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-422A, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | BLS3135-20 |
2000 Feb 01
4
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-20
handbook, halfpage
(W)
0
1
(1)
(2)
(3)
2
4
0
20
3
PD (W)
15
10
5
MCD863
Fig.2
Load power as a function of drive power;
typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 3.1 GHz.
(2) f = 3.3 GHz.
(3) f = 3.5 GHz.
handbook, halfpage
(dB)
0
25
0
2
4
6
8
5
10
15
20
PL (W)
MCD864
(3)
(1)
(2)
Fig.3
Power gain as a function of load power;
typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 3.1 GHz.
(2) f = 3.3 GHz.
(3) f = 3.5 GHz.
handbook, halfpage
C
(dB)
0
25
0
10
20
30
40
5
10
15
20
PL (W)
MCD865
(3)
(1)
(2)
Fig.4
Collector efficiency as a function of load
power; typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
(1) f = 3.1 GHz.
(2) f = 3.3 GHz.
(3) f = 3.5 GHz.
handbook, halfpage
(dB)
3
3.2
3.4
Gp
η
C
3.6
f (GHz)
0
8
6
4
2
η
C
(%)
40
50
0
30
20
10
MCD866
Fig.5
Power gain and efficiency as functions of
frequency; typical values.
V
CB
= 40 V; class-C; P
L
= 20 W; t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10%.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLS3135-50 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLS3135-65 | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| BLT11 | NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR |
| BLT13 | UHF power transistor |
| BLT52 | UHF power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLS3135-20 TRAY | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-20,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-50 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
| BLS3135-50,114 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLS3135-65 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor |
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