參數(shù)資料
型號(hào)： BLS3135-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-445C, 2 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： BLS3135-10
2000 Feb 01
7
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS3135-10
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT445C
97-05-23
0
5
10 mm
scale
Flanged hermetic ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT445C
0.15
0.09
3.15
2.95
5.31
5.01
8.13
7.87
4.20
3.93
1.82
1.22
15.84
14.64
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
3.35
3.05
5.57
4.70
3.33
3.03
D
D2
D1
q
U1
1
3
2
A
U2
E1
E2
E
p
b
H
Q
F
c
UNIT
Q
c
D
E2
4.25
3.95
E1
7.65
7.35
D1
8.15
7.85
D2
E
F
H
p
q
mm
b
14.22
20.47
20.17
U2
U1
5.18
4.98
0.51
w1
1.02
w2
A
M
C
C
A
w1
w2
A B
M
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLS3135-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-50 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-65 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLT11 NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR
BLT13 UHF power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLS3135-10 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-10,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS3135-20 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
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BLS3135-20,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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