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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLF2047 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor(UHF 功率 LDMOS晶體管) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-502A, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | BLF2047 |
1999 Dec 02
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF2047
handbook, halfpage
0
100
60
40
20
MGS915
20
40
60
80
PL (PEP) (W)
dim
(dBc)
d7
d5
d3
V
DS
= 26 V; I
= 400 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
Fig.4
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
handbook, halfpage
0
100
60
40
20
MGS916
20
40
60
80
PL (PEP) (W)
dim
(dBc)
d7
d5
d3
V
DS
= 26 V; I
= 400 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2200 MHz; f
2
= 2200.1 MHz.
Fig.5
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
handbook, halfpage
0
100
60
40
20
MGS917
20
40
60
80
PL (PEP) (W)
d3
(dBc)
(2)
(3)
(1)
Fig.6
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
V
DS
= 26 V; T
h
≤
25
°
C; f
1
= 2200 MHz; f
2
= 2200.1 MHz.
(1) I
DQ
= 350 mA.
(2) I
DQ
= 400 mA.
(3) I
DQ
= 450 mA.
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PDF描述 |
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