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參數(shù)資料
| 型號： | BGY122B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | UHF amplifier modules |
| 中文描述： | 872 MHz - 905 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT-388B, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | BGY122B |
1998 May 11
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier modules
BGY122A; BGY122B
CHARACTERISTICS
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; V
S
= 4.8 V; V
C
≤
3 V; T
mb
= 25
°
C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
f
frequency
BGY122A
BGY122B
total quiescent current
control current
load power
power gain
efficiency
second harmonic
third harmonic
input VSWR
stability
824
872
1.2
27.8
50
55
849
905
100
500
36
36
3 : 1
60
MHz
MHz
μ
A
μ
A
W
dB
%
dBc
dBc
I
Q
I
C
P
L
G
p
η
H
2
H
3
VSWR
in
V
C
= 0; P
D
<
60 dBm
adjust V
C
for P
L
= 1.2 W
V
C
= 3 V
adjust V
C
for P
L
= 1.2 W
adjust V
C
for P
L
= 1.2 W
adjust V
C
for P
L
= 1.2 W
adjust V
C
for P
L
= 1.2 W
adjust V
C
for P
L
= 1.2 W
P
D
= 0 to +6 dBm; V
S
= 4 to 6.5 V;
V
C
= 0 to 3 V; P
L
≤
1.2 W;
VSWR
≤
6 : 1 through all phases
V
C
= 0
adjust V
C
for P
L
= 1.2 W;
bandwidth = 30 kHz; f
n
= f
o
+ 45 MHz
V
S
= 6.5 V; adjust V
C
for P
L
= 1.4 W;
VSWR
≤
10 : 1 through all phases
dBc
isolation
noise power
40
90
dBm
dBm
P
n
ruggedness
no degradation
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