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參數(shù)資料
| 型號： | BGF844 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | GSM800 EDGE power module |
| 中文描述： | 869 MHz - 894 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-365C, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | BGF844 |
2003 Jun 06
5
Philips Semiconductors
Product specification
GSM800 EDGE power module
BGF844
handbook, halfpage
(dB)
0
8
16
32
28.4
30
24
29.6
29.2
28.8
60
η
(%)
0
48
36
24
12
MBL776
PL (W)
Gp
η
Fig.6
CW gain power and efficiency as functions
of load power; typical values.
f = 882 MHz.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
4
8
16
29.6
28.8
28.4
29.2
48
36
12
0
24
12
MBL777
Gp
PL (W)
η
η
(%)
Fig.7
Two tone gain power and efficiency as
functions of load power; typical values.
f
1
= 882 MHz; f
2
= 883 MHz.
handbook, halfpage
(dBc)
0
4
8
16
70
30
12
40
50
60
MBL778
d3
d5
d7
PL (AV) (W)
Fig.8
Two tone intermodulation distortion as a
function of average load power; typical
values.
f
1
= 882 MHz; f
2
= 883 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
750
850
950
1050
20
28
26
24
22
0
30
6
12
18
24
MBL779
s11
(dB)
s11
s21
s11
f (kHz)
Fig.9 s-parameters as a function of frequency.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BGF944 | GSM900 EDGE power module |
| BGX881 | CATV amplifier module |
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| BGY120B | UHF amplifier modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BGF944,127 | 功能描述:射頻放大器 LDMOS MOD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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