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參數(shù)資料
| 型號： | BGF844 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | GSM800 EDGE power module |
| 中文描述： | 869 MHz - 894 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-365C, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | BGF844 |
2003 Jun 06
2
Philips Semiconductors
Product specification
GSM800 EDGE power module
BGF844
FEATURES
Typical GSM EDGE performance at a supply voltage of
26 V:
– Output power = 2.5 W
– Gain = 30 dB
– Efficiency = 16%
– ACPR <
65 dBc at 400 kHz
– rms EVM < 0.4%
– peak EVM < 1.2%
Low distortion to a GSM EDGE signal
Excellent 2-tone performance
Low die temperature due to copper flange
Integrated temperature compensated bias
50
input/output impedance
Flat gain over frequency band.
APPLICATIONS
Base station RF power amplifiers in the 869 to 894 MHz
frequency range
GSM, GSM EDGE, multi carrier applications
Macrocell (driver stage) and Microcell (final stage).
DESCRIPTION
23 W LDMOS power amplifier module for base station
amplifier applications in the 869 to 894 MHz band.
PINNING - SOT365C
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
RF input
V
S
RF output
ground
Flange
2 3
1
Top view
MBL257
Fig.1 Simplified outline.
QUICK REFERENCE DATA
Typical RF performance at T
mb
= 25
°
C.
Note
1.
ACPR 400 kHz at 30 kHz resolution bandwidth.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
S
(V)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
(%)
ACPR
(dBc)
65
(1)
rms EVM
(%)
0.4
CW
GSM EDGE
869 to 894
869 to 894
26
26
23
2.5
29
30
50
16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| BGF944,127 | 功能描述:射頻放大器 LDMOS MOD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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