參數(shù)資料
型號(hào)： BFV469
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： CANMS3126F16-26SF0
中文描述： 0.1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： BFV469
1999 Apr 26
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistor
BFV469
FEATURES
High transition frequency
Low feedback capacitance.
APPLICATIONS
Buffer transistor in monitors.
DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a TO-126; SOT32 plastic
package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
collector
base
Fig.1
Simplified outline (TO-126; SOT32)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM254
1
2
3
Top view
1
2
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
140
100
5
100
100
100
2
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
W
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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