參數(shù)資料
型號(hào)： BFT45
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： MS3126F14-12SW
中文描述： 500 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： BFT45
1997 Apr 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP high-voltage transistor
BFT45
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
250
250
5
500
1
200
5
+150
200
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
A
mA
W
°
C
°
C
°
C
T
case
≤
50
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-c
thermal resistance from junction to ambient in free air
thermal resistance from junction to case
200
30
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
30
50
50
TYP.
70
MAX. UNIT
5
5
150
0.5
1.4
3
0.5
0.9
1.2
15
I
CBO
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
=
200 V
I
C
= 0; V
EB
=
3 V
I
C
=
1 mA; V
CE
=
10 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
10 V
I
C
=
100 mA; V
CE
=
10 V; note 1
μ
A
μ
A
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
V
V
V
V
V
V
pF
MHz
I
C
=
100 mA; I
B
=
10 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
100 mA; note 1
I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
10 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
100 mA; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
20 V; f = 1 MHz
I
C
=
15 mA; V
CE
=
10 V; f = 100 MHz
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
C
c
f
T
collector capacitance
transition frequency
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