參數(shù)資料
型號： BFT45
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： MS3126F14-12SW
中文描述： 500 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 52K
代理商： BFT45
1997 Apr 18
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP high-voltage transistor
BFT45
FEATURES
Low current (max. 500 mA)
High voltage (max. 250 V).
APPLICATIONS
High voltage switching and amplification
Industrial and telephone applications.
DESCRIPTION
PNP high-voltage transistor in a TO-39 metal package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
base
collector, connected to case
Fig.1 Simplified outline (TO-39) and symbol.
handbook, halfpage
3
1
2
MAM334
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
250
250
1
5
150
15
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
CM
P
tot
h
FE
C
c
f
T
collector-base voltage
collector-emitter voltage
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
collector capacitance
transition frequency
open emitter
open base
50
70
V
V
A
W
T
case
≤
50
°
C
I
C
=
10 mA; V
CE
=
10 V
I
E
= i
e
= 0; V
CE
=
20 V; f = 1 MHz
I
C
=
15 mA; V
CE
=
10 V; f = 100 MHz
pF
MHz
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