參數(shù)資料
型號: BFT25
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN 2 GHz wideband transistor
封裝: BFT25<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 204K
代理商: BFT25
November 1992
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz wideband transistor
BFT25
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 1 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
10
0
10
–3
MEA908
1
10
–1
10
–2
40
20
IC
hFE
Fig.3
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
C.
0
2
4
8
1
0
0.8
MEA914
6
0.6
0.4
0.2
Cc
(pF)
VCB(V)
10
Fig.4
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 1 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
0.5
1
2
2
0
MEA907
1.5
IC
(GHz)
T
f
1
Fig.5
Minimum noise figure as a function of
collector current.
V
CE
= 1 V; Z
S
= opt.; f = 500 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
10
0
10
–2
MEA909
1
10
–1
4
2
IC
F
(dB)
6
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