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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFT25 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFT25<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | BFT25 |
November 1992
3
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz wideband transistor
BFT25
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
T
s
= is the temperature at the soldering point of the collector tab.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
S
1
S
11
–
1
S
22
–
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
THERMAL RESISTANCE
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
up to T
s
= 167
C; note 1
260 K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
collector cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 10
A; V
CE
= 1 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V; f = 500 MHz
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
c
= i
c
= 0; V
EB
= 0; f = 1 MHz
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V; f = 1 MHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V; f = 500 MHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V; f = 800 MHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 0.1 mA; V
CE
= 1 V;
f = 500 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V; f = 500 MHz;
T
amb
= 25
C
20
20
1.2
30
40
2.3
50
0.6
0.5
0.45
nA
f
T
C
c
C
e
C
re
transition frequency
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
GHz
pF
pF
pF
G
UM
maximum unilateral power gain
(note 1)
18
dB
12
dB
F
noise figure
5.5
dB
3.8
dB
G
UM
10 log
2
2
2
----------------------------------------------------------
dB.
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFT25 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFT33A | NPN SILICON TRANSISTOR |
| BFT36A | PNP SILICON TRANSISTOR |
| BFT53 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
| BFT60 | Bipolar NPN Device in A Hermetically sealed TO39 Metal Package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFT25 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFT25,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFT25 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
| BFT25/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
| BFT25215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 5V 2.3GHZ |
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