參數(shù)資料
型號： BFS19
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN medium frequency transistor
中文描述： NPN中頻晶體管
封裝： BFS19<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFS19<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
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代理商： BFS19
2004 Jan 05
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN medium frequency transistor
BFS19
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
650
TYP.
1
0.85
260
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
E
= 0; V
CB
= 20 V; T
j
= 100
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V
I
E
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 0 mA; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
100
10
100
225
740
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
BE
C
c
C
re
f
T
emitter cut-off current
DC current gain
base-emitter voltage
collector capacitance
feedback capacitance
transition frequency
mV
pF
pF
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BFS19 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19,235 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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