參數(shù)資料
型號： BFS19
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN medium frequency transistor
中文描述： NPN中頻晶體管
封裝： BFS19<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFS19<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 99K
代理商： BFS19
2004 Jan 05
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN medium frequency transistor
BFS19
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
30
20
5
30
30
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關PDF資料
PDF描述
BFS20 Epitaxial Planar NPN Transistor(High Frequency Application,VHF Band Amplifier Application)(外延平面NPN晶體管(高頻應用,VHF波段放大器應用))
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BFS25A NPN 5 GHz wideband transistor
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BFS19 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19,235 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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