參數(shù)資料
型號(hào)： BFS17W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 1 GHz wideband transistor
封裝： BFS17W<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BFS17W<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： BFS17W
1995 Sep 04
3
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz wideband transistor
BFS17W
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C (unless otherwise specified).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
up to T
s
= 118
C; note 1
190
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
f
T
collector cut-off current
DC current gain
transition frequency
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 2 mA; V
CE
= 1 V
I
C
= 25 mA; V
CE
= 5 V;
f = 500 MHz
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V;
f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V;
f = 1 MHz
I
B
= i
b
= 0; V
CE
= 5 V;
f = 1 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V;
f = 500 MHz;
S
=
opt
25
90
1.6
10
nA
GHz
C
c
collector capacitance
0.8
1.5
pF
C
e
emitter capacitance
2
pF
C
re
feedback capacitance
0.75
pF
F
noise figure
4.5
dB
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
200
0
MLB587
150
Ts
o
300
100
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 1 V.
handbook, halfpage
20
40
MBG237
0
1
10
hFE
IC (mA)
10
1
10
2
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PDF描述
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BFS17W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323
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