參數(shù)資料
型號： BFS17
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 1GHz wideband transistor
封裝： BFS17<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFS17<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： BFS17
September 1995
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz wideband transistor
BFS17
Fig.2
DC current gain as a function of
collector current.
V
CE
= 1 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
50
0
10
30
MEA395
20
IC (mA)
hFE
Fig.3
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(pF)
MEA396
0
0
1.6
30
1.2
0.4
VCB (V)
10
0.8
20
Fig.4
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 5 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
MEA393
0
10
20
30
0
1
IC (mA)
fT
(GHz)
Fig.5
Minimum noise figure as a function of
collector current.
V
CE
= 5 V; R
S
= 50
; f = 500 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
MEA397
0
0
12
4
8
F
(dB)
5
16
20
IC (mA)
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PDF描述
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