參數(shù)資料
型號(hào)： BFS17
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 1GHz wideband transistor
封裝： BFS17<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFS17<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 162K
代理商： BFS17
September 1995
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz wideband transistor
BFS17
DESCRIPTION
NPN transistor in a plastic SOT23 package.
APPLICATIONS
A wide range of RF applications such as:
– Mixers and oscillators in TV tuners
– RF communications equipment.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 SOT23.
Marking code:
E1p.
handbook, halfpage
MSB003
Top view
1
2
3
QUICK REFERENCED DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note to the Quick reference data and the Limiting values
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
1
4.5
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
f
T
F
collector-base voltage
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
transition frequency
noise figure
open emitter
open base
25
15
25
300
V
V
mA
mW
GHz
dB
up to T
s
= 70
C; note 1
I
C
= 25 mA; V
CE
= 5 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
C
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V; R
S
= 50
; f = 500 MHz;
T
j
= 25
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
25
15
2.5
25
50
300
+150
150
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
up to T
s
= 70
C; note 1
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PDF描述
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