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參數(shù)資料
| 型號： | BFR505 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFR505<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR505/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-fre |
| 文件頁數(shù)： | 4/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | BFR505 |
BFR505
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 7 September 2011
4 of 14
NXP Semiconductors
BFR505
NPN 9 GHz wideband transistor
[1]
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
2
------------------------------------------------------
dB
=
[2]
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; R
L
= 50
; T
amb
= 25
C; f
p
= 900 MHz; f
q
= 902 MHz; measured at f
(2p
q)
= 898 MHz
and f
(2q
p)
= 904 MHz.
F
noise figure
s
=
opt
; I
C
= 5 mA;
V
CE
= 6 V;T
amb
= 25
C;
f = 900 MHz
s
=
opt
; I
C
= 5 mA;
V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
C; f = 900 MHz
s
=
opt
; I
C
= 5 mA;
V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
C; f = 2 GHz
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
R
L
= 50
;
T
amb
= 25
C; f = 900 MHz
-
1.2
1.7
dB
-
1.6
2.1
dB
-
1.9
-
dB
P
L1
output power at 1 dB
gain compression
-
4
-
dBm
ITO
third order intercept
point
[2]
-
10
-
dBm
Table 7.
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
G
UM
10
log
S
1
1
S
11
–
S
22
2
–
V
CE
= 6 V.
DC current gain as a function of collector
current.
Fig 1.
Power derating curve.
Fig 2.
T
s
(
°
C)
0
200
150
50
100
mra718
100
50
150
200
P
tot
(mW)
0
mra719
100
150
50
200
250
h
FE
0
10
3
I
C
(mA)
10
2
10
10
2
1
10
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR92AF | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFS17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFS17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFR505,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFR505/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| bfr505215 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 9GHZ SOT |
| BFR505T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR505T,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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