參數(shù)資料
型號： BFR183T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 68K
代理商： BFR183T
BFR183T/BFR183TW
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 2, 20-Jan-99
1 (4)
Document Number 86026
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
For low noise and high gain broadband amplifiers at
collector currents from 2 mA to 30 mA.
Features
Low noise figure
High power gain
13 581
2
3
1
94 9280
BFR183T Marking: RH
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
2
1
3
13 652
13 570
BFR183TW Marking: WRH
Plastic case (SOT 323)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
stg
Value
15
10
2
65
5
200
150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
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PDF描述
BFR193T Silicon NPN Planar RF Transistor
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BFR193TW Silicon NPN Planar RF Transistor
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BFR183W_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor
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