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參數(shù)資料
| 型號： | BFQ67T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN 8 GHz wideband transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-75, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | BFQ67T |
2000 Mar 06
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFQ67T
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C; unless otherwise specified.
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
60
TYP.
100
0.7
1.3
0.5
8
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
collector cut-off current
DC current gain
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
transition frequency
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 15 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; note 1
f = 1 GHz
f = 2 GHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V;
f = 1 GHz
f = 2 GHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V;
f = 1 GHz
f = 2 GHz
V
CE
= 8 V; f = 2 GHz; Z
s
= 60
;
I
C
= 5 mA
I
C
= 15 mA
50
nA
pF
pF
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain
13
8
dB
dB
F
noise figure
1.3
2.2
dB
dB
2
2.7
dB
dB
2.5
3
dB
dB
G
UM
10 log
S
)
1
2
1
S
11
–
(
S
22
2
–
(
)
---------------------------------------------------------- dB
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFQ68 | NPN 4 GHz wideband transistor |
| BFQ741 | NPN 7GHz wideband transistor |
| BFR101A | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1.5MA I(DSS) | SOT-143 |
| BFR15A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | TO-72 |
| BFR17 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFQ67T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23 |
| BFQ67W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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| BFQ67W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFQ67W115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ |
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